Väitös optoelektroniikan alalta, Lauri Riuttanen

2015-12-18 12:00:36 2015-12-18 16:00:49 Europe/Helsinki Väitös optoelektroniikan alalta, Lauri Riuttanen Väitöksen nimi on Diffusiolla viritetty loistediodi http://old.eea.aalto.fi/fi//midcom-permalink-1e59811f9385376981111e58c7e7d77584665e565e5 Tietotie 3, 02150, Espoo

Väitöksen nimi on Diffusiolla viritetty loistediodi

18.12.2015 / 12:00 - 16:00
Micronova, iso seminaarisali, Tietotie 3, 02150, Espoo, FI

Valaistus kuluttaa merkittävän osan sähköenergiasta maailmanlaajuisesti. Valaistuksen hyötysuhteen parantaminen on siis yksi merkittävimmistä menetelmistä vähentää kasvihuonepäästöjä. Vaikka loistediodien (LEDs, engl. light emitting diodes) nopea kehitys ja niiden ylivoimainen hyötysuhde kilpaileviin teknologioihin on antanut LED:eille jalansijaa myös yleisvalaistuksessa, LED-teknologia tarvitsee vielä tutkimusta, jotta ne voisivat täydellisesti korvata vaihtoehtoiset teknologiat.

Perinteinen LED perustuu kaksoisheteroliitokseen (DHJ, engl. double heterojunction), jossa aktiivinen alue on valmistettu p- ja n-tyyppiseksi seostettujen alueiden väliin. Varaustenkuljettajien syöttö on perinteisessä LED-rakenteessa tyypillisesti erittäin hyvä. Haasteita ilmenee uusissa, eksoottisissa LED-rakenteissa, jotka perustuvat lähellä pintaa oleviin nanorakenteisiin. Näissä tapauksissa DHJ:n valmistaminen on hankalaa ja varaustenkuljettajien syöttö on usein heikkoa.

Väitöskirja esittelee kokeellisia tutkimuksia uudesta diffuusioon perustuvasta LED-rakenteiden viritysmenetelmästä. Menetelmässä aktiivisen alueen ei tarvitse olla seostettujen alueiden välissä, jolloin DHJ:n muodostaminen voidaan kiertää avaten uusia mahdollisuuksia erilaisten LED-rakenteiden valmistamiseksi. Mahdollisia sovelluksia menetelmälle löytyy myös vihreiden puolijohdevalolähteiden valmistuksessa sekä pii-teknologiaan integroitavissa valolähteissä.

Vastaväittäjänä toimii professori Charles Thomas Foxon, University of Nottingham, United Kingdom

Valvojana on professori Markku Sopanen, Aalto-yliopiston sähkötekniikan korkeakoulu, mikro- ja nanotekniikan laitos

Väitöskirjan verkko-osoite 

Väittelijän yhteystiedot:
Lauri Riuttanen
p. 050 4321483
lauri.riuttanen@aalto.fi